1樓：小溪
請配圖提問，否則無法回答你的問題，因為只有npn的三極體，沒有npn的場效電晶體。
2樓：音響帝國**
多個場效電晶體並聯，因為場效電晶體的vgs離散性很大，起始電壓差異也很大，回直接並聯是不行的，答必須用運算放大器進行有源均流，使vgs的差異縮小到1/kv倍，均流後，不但均流、均功耗（均溫），而且還能使輸入輸出線性化
mos管的源極和漏極有什麼區別
3樓：四舍**入
一、指代不同
1、源極：簡稱場效電晶體。t僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少ic內部的驅動， 或驅動比晶片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊n型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的p型區（用p+表示），就形成兩個不對稱的p+n結。把兩個p+區並聯在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在n型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極：將兩個p區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在n型矽片兩端各引出一個電極。
4樓：匿名使用者
1、區別：源極(source)source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出，洩漏，中文翻譯為漏極。起發射作用的電極。
2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。
這樣的器件被認為是對稱的。
5樓：血刺廢車
mos管的定義：場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域，用p+表示，形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極d和源極s。
把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓，n區中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極s出發， 流向漏極d。
電流方向由d指向s，稱為漏極電流id.。由於導電溝道是n型的，故稱為n溝道結型場效電晶體。
場效電晶體（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常製成對稱的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品
時已把源極和襯底連線在一起了
，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位，n襯底接高電位。
6樓：匿名使用者
對於絕緣柵nmos管，接高壓為漏端，接低壓為源端。pmos剛好相反。從原理上，nmos載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱源端，pmos載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱源端。
7樓：一梔穿雲箭
源極: 引入載流子
漏極: 漏出載流子
mos管的d漏極和s源極之間連線電阻是起什麼作用
8樓：
這個電阻影響g極電流，即其大小影響mos管開關速度。同時，此電阻阻值也與mos管振鈴現象有關。
再具體的，你可以查下mos管驅動電路的資料
mos管的d漏極和s源極之間連線電阻是起什麼作用啊?
9樓：匿名使用者
小訊號模型中單獨拿出來分析的輸出阻抗
10樓：匿名使用者
洩放電阻，防止靜電擊穿gs結以及把g極可能的殘留電荷導向地。
11樓：匿名使用者
那不是電阻，是二極體，起保護啊
場效電晶體的柵極g、源極s和漏極d分別是哪三個單詞的縮寫？
12樓：蓴灬叔
柵極來(gate)；
漏極自(drain)；
源極(source)。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
13樓：匿名使用者
柵極(gate)
漏極(drain)
源極(source)
絕緣柵型場效電晶體N溝道增強型MOS管中為什麼為什麼柵和漏之間電壓為Vgs Vds
在場效電晶體之中，vgs產生的電場能控制從s到d的電導。你說的柵和漏之間的電壓，就是漏和源電壓減去柵和源之間的電壓了。在這裡要以s作為基準點才對。所以，vgs的電壓能夠控制s d電導，電壓越高，電導越大。並且vsd越高，isd也就越高。做個比喻,vgs好比河裡的水,而vds好比這條河的落差.如果河裡...
場效電晶體裡面有二極體是幹什麼的,場效電晶體裡面有一個二極體是幹什麼的
內部有一個二極體的場效電晶體叫mos場效電晶體。mos場效電晶體全稱金屬 m 氧化物 o 半導體 s 場效電晶體，一般稱為絕緣柵極場效電晶體。mos管的柵極是由二氧化矽與另兩個電極隔離的，其電阻極高，容易感應靜電，導致擊穿燒燬，為了防止靜電的積累並一個雪崩二極體上去，當電壓超過一定值時雪崩二極體反向...
場效電晶體又稱為單極性管,因為什麼
單極型電晶體是指僅有多數載流子參與導電，雙極型則有多數載流子和反極性的少數載流子導電。這裡對雙極型還可以理解，但對單極型就困惑了，怎會是僅為多數載流子導電呢？比如結型場效電晶體同樣有n型半導體和p型半導體構成，按理說肯定同時存在多子和少子問題，因為p和n型半導體肯定同時存在多子好少子的，那麼這些少子...