肖特基二極體和快恢復二極體有什麼區別

2021-07-31 01:44:08 字數 1566 閱讀 1995

1樓:辰達君

一、快恢復二極體簡稱frd(反向恢復時間很短的二極體),也是一種高速開關二極體,這種二極體的開關特性好,反向恢復時間很短,正向壓降低,反向擊穿電壓較高(耐壓值較高),主要應用於開關電源、脈寬調製電路pwm以及變頻等電子電路中。

二、肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體,簡稱肖特基二極體。肖特基二極體屬於低功耗、超高速半導體器件,其反向恢復時間可小到幾個納秒(2-10ns納秒),正向壓降僅0.4v(0.

4--1.0v)左右,而整流電流卻克達到幾千安。而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低於150v,多用於低電壓場合。

三、肖特基二極體的恢復時間比快恢復二極體小一百倍左右,肖特基二極體的反向恢復時間大約為幾納秒!前者的優點還有低功耗,超高速!電特性當然都是二極體。

快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件。

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2樓:聽聽娛樂八卦圈

肖特基二極體是屬於低功耗、大電流、超高速的半導體器件,其特長是開關速度非常快,反向恢復時間可以小到幾個納秒,正向導通壓降僅0.4v左右,而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作,電腦主機電源的輸出整流二極體就採用了肖特基二極體。

肖特基二極體是以n型半導體為基片,在上面形成用砷作摻染劑的n一外延層。陽性(阻擋層)金屬材料是鉬。二氧化矽用來消除邊緣區域電場,提高肖特基二極體的耐壓值。

n型基片摻雜濃度比n一層高100倍,具有很小的通態電阻。基片下部的n+陰極層用以減小陰極的接觸電阻。通過調整結構引數,可在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基二極體。

快恢復二極體是近年來問世的新型半導體器件,它具有開關特性好,反向恢復時間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優點。可作高頻、大電流的整流、續流二極體,在開關電源、脈寬調製器(pwm)、不間電源(ups)、高頻加熱、交流電機變頻調速等電子裝置中得到了廣泛的應用,是極有發展前途的電力、電子半導體器件。

快恢復二極體的一個重要引數是反向恢復時間trr,其定義是:電流流過零點由正向轉換成反向,再由反向轉換到規定的值irr時的時間間隔,它是衡量高頻續流、整流器件效能的重要技術引數。

快恢復二極體的內部結構與普通二極體不同,它是在p型、n型矽材料中間增加了基區i,構成p-i-n矽片。由於基區很薄,反向恢復電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態正向壓降, 使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極體的反向恢復時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.

6v,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。

3樓:賞健奉音華

快恢復二極體是由矽材料組成的pn結,肖特基二極體是由半導體-金屬構成的勢壘,前者壓降大,後者壓降小,前者耐壓高,後者耐壓低。‍

4樓:萬力蓬嘉禎

材料不一樣,肖特基利用半導體與金屬面接觸形成勢壘壁,恢復時間比快恢復更快,普通快恢復二極體材料恢復時間一般500ns-50ns區間,超快恢復二極體可達35ns,而肖特基材料恢復時間只需要8ns,像一些頂尖工藝的更是能達到5ns的速度,像st,pec,asemi等等肖特基二極體基本都在5ns的水平。

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