1樓：衡然召懷綠
太陽電池是利用半導體光生伏特效應的半導體器件。當太陽光照射到由p型和n型兩種不同導電型別的同質半導體材料構成的p-n結上時，在一定條件下，光能被半導體吸收後，在導帶和價帶中產生非平衡載流子—核沒—電子和空穴。它們分別在p區和n區形成濃度梯度，並向p-n結作擴散運動，到達結區邊界時受p-n結勢壘區存在的強內建電場作用將空穴推向p區電子推向n區，在勢壘區的非平衡載流子亦在內建電場的作用下，各向相反方向運動，離開勢壘區，結果使p區電勢公升高，n區電勢降低，p-n結兩端形成光生電動勢。
晶體矽包括單晶矽和多晶矽，晶體矽的製備方法大致是先用碳還原。
sio2成為si，用hcl反應再提純獲得更高純度多晶矽，單晶矽的製法通常是先製得沒氏逗多晶矽或無定枯賣形矽，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶矽。
2樓：路峰拜念夢
看一下光生伏打效應是指物體由於吸收光子而產生電動勢的現象，是當物體受光照時，物體內的電荷分佈狀態發生變化而產生電動勢和電流的一種效應。嚴格來講，包括兩種型別：一類是發生在均勻半導體材料內部；一類是發生在半導體的介面。
雖然它們之間有一定相似的地方，但產生這兩個效應的具體機制是不相同的。通常稱前一類為丹倍效應[1],而把光生伏打效應的涵義只侷限於後一類情形。
當兩種不同材料所形成的結受到光輻照時，結上產生電動勢。它的過程先是材料吸收光子的能量，產生數量相等的正、負電荷，隨後這些電荷分別遷移到結的兩側，形成偶電層。光生伏打效應雖然不是瞬時產生的，但其響應時間是相當短的。
本段]發現者。
1839年，法國物理學家a.
e.貝克勒爾意外地發現，用兩片金屬浸入溶液構成的伏打電池，受到陽光照射時會產生額外的伏打電勢，他把這種現象稱為光生伏打效應。1883年，有人在半導體硒和金屬接觸處發現改巨集叢了固體光伏效應。
後來就把能夠產生光生伏打效應的器件稱為光伏器件。
當太陽光或其他光照射絕前半導體的pn結時，就會產生光生伏打效應。光生伏打效應使得pn結兩邊出現電壓，叫做光生電壓。使pn結短路，就會產生電流。
本段]光生伏打效應應用當前，光生伏打效應主要是應用在半導體的pn結上，把輻射能轉換成電能。大量研究集中在太陽能的轉換效率上。理論預期的效率為24％.
由於半導體pn結器件在陽光下的光電轉換效率最高，所以通常把這類光伏器件稱為太陽能電池，也稱核櫻光電池或太陽電池。
單晶矽太陽能電池原理
3樓：小賴被我抓走了
製作太陽能電池主要是以半導體材料。
為基礎，其工作原理是利用光電材料吸收光能後發生光電轉換反應。
矽太陽能電池工作原理與結構。
太陽能電池發電的原理主要是半導體的光電效應。
一般的啟改賀半導體主要結構如下：
矽材料。是一種半導體材料，太陽能電池發電的原理主要就是利用這種半導體的光電效應。
當矽晶體中摻入其他的雜質，如硼（黑色或銀灰色固體，熔點2300℃，沸點3658℃，密度克/釐公尺，硬度僅次於金剛石。
在室溫下較穩定，可與氮、碳、矽作用，高溫下硼還與許多金屬和金屬氧化物反應，形成金屬硼化物。這些化合物通常是高硬度、耐熔、高導電率。
和化學惰性的物質。）、磷等，當摻入硼時，矽晶體中就會存在乙個空穴。另外矽表面非常光悄派亮，會反射掉大量的太陽光，不能被電池利用。
為此，科學家們給它塗上了一層反射係數非常小的保護膜，實際工業生產基本殲臘都是用化學氣相沉積。
沉積一層氮化矽膜，厚度在1000埃左右。將反射損失減小到5%甚至更小。乙個電池所能提供的電流和電壓畢竟有限，於是人們又將很多電池（通常是36個）並聯或串聯起來使用，形成太陽能光電板。
簡述晶體矽發電原理
4樓：長春北方化工灌裝裝置股份****
太陽電池是利用半導體光生伏特效應的半導體器件。當太陽光照射到由p型和n型兩種不同導電型別的同質半導體材料構成的p-n結上時，在一定條件下，光能被半導體吸收後，在導帶和價帶中產生非平衡載流子——電子和空穴。它們分別在p區和n區形成濃度梯度，並向p-n結作擴散運動，到達結區邊界時受p-n結勢壘區存在的強內建電場作用將空穴推向p區電子推向n區，在勢壘區的非平衡載流子亦在內建電場的作用下，各向相反方向運動，離開勢壘區，結果使p區電勢公升高，n區電勢降低，p-n結兩端形成光生電動勢。
晶體矽包括單晶矽和多晶矽，晶體矽的製備方法大致是先用碳還原sio2成為si，用hcl反應再提純獲得更高純度多晶矽，單晶矽的製法通常是先製得多晶矽或無定形矽，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶矽。
5樓：最愛
如果光線照射在太陽能電池上並且光在介面層被吸收，具有足夠能量的光子能夠在p型矽和n型矽中將電子從共價鍵中激發，以致產生電子－空穴對。介面層附近的電子和空穴在複合之前，將通過空間電荷的電場作用被相互分離。電子向帶正電的n區和空穴向帶負電的p區運動。
通過介面層的電荷分離，將在p區和n區之間產生乙個向外的可測試的電壓。此時可在矽片的兩邊加上電極並接入電壓表。對晶體矽太陽能電池來說，開路電壓的典型數值為。
通過光照在介面層產生的電子－空穴對越多，電流越大。介面層吸收的光能越多，介面層即電池面積越大，在太陽能電池中形成的電流也越大。
單晶矽與多晶矽的區別，單晶矽與多晶矽不同功能及優缺點是什麼
單晶矽矽有晶態和無定形兩種同素異形體。晶態矽又分為單晶矽和多晶矽，它們均具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導體性質。單晶矽在日常生活中是電子計算機 自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。電視 電腦 冰箱 手錶 汽車，處處都離不開單...
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目前太陽能板主要是單晶或多晶矽 非晶矽的用於電子或科研方面的多 怎麼區分單晶和多晶 多晶矽是生產單晶矽的直接原料，是當代人工智慧 自動控制 資訊處理 光電轉換等半導體器件的電子資訊基礎材料。被稱為 微電子大廈的基石 在太陽能利用上，單晶矽和多晶矽也發揮著巨大的作用。雖然從目前來講，要使太陽能發電具有...
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