1樓：匿名使用者
首先要測試二極體的正向v-i曲線，記錄下不同電流下對應的壓降值，然後繪製出曲線，在曲線上去兩點，計算等效串聯內阻，r=(v2-v1)/(i2-i1)
用示波器顯示穩壓二極體的伏安特性曲線實驗的電路圖
2樓：匿名使用者
如果有圖示儀，就很方便了！用示波器的話，你要有三角波發生器，一個通道通過取樣電阻取二極體電流值，另一通道取二極體電壓值！
3樓：匿名使用者
就是採集穩壓管的電壓訊號送x軸、電流訊號送y軸：
詳見
物理實驗半導體二極體伏安特性的測定實驗原理簡述
4樓：匿名使用者
二極體的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極體的正極流入，負極流出。二極體的正向特性：
在電子電路中，將二極體的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極體就會導通，這種連線方式，稱為正向偏置。當加在二極體兩端的正向電壓很小時，二極體仍然不能導通，流過二極體的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為「門檻電壓」，鍺二極體約為0.
2v,矽二極體約為0.6v)以後，二極體才能直正導通。導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺二極體約為0.
3v,矽二極體約為0.7v),稱為二極體的「正向壓降」。二極體反向特性：
在電子電路中，二極體的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極體中幾乎沒有電流流過，此時二極體處於截止狀態，這種連線方式，稱為反向偏置。二極體處於反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極體，稱為漏電流。當普通二極體兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極體將失去單方向導電特性，二極體會反向熱擊穿而損壞。
穩壓二極體：穩壓二極體是一個特殊的面接觸型的半導體矽二極體，其伏安特性曲線與普通二極體相似，但反向擊穿曲線比較陡，穩壓二極體工作於反向擊穿區，由於它在電路中與適當電陰配合後能起到穩定電壓的作用，故稱為穩壓管。穩壓管反向電壓在一定範圍內變化時，反向電流很小，當反向電壓增高到擊穿電壓時，反向電流突然猛增，穩壓管從而反向擊穿，此後，電流雖然在很大範圍內變化，但穩壓管兩端的電壓的變化卻相當小，利於這一特性，穩壓管訪問就在電路到起到穩壓的作用了。
而且，穩壓管與其它普通二極體不同，反向擊穿是可逆性的，當去掉反向電壓穩壓管又恢復正常，但如果反向電流超過允許範圍，二極體將會發熱擊穿而損壞，所以要用電阻限制其電流。如果滿意記得采納哦！你的好評是我前進的動力。
(*^__^*)嘻嘻……我在沙漠中喝著可口可樂，唱著卡拉ok，騎著獅子趕著螞蟻，手中拿著鍵盤為你答題！！！
二極體的伏安特性曲線
5樓：牛角尖
因為縱座標是對數座標，所以只要直線就是指數變化，圖中可見10a電流以下確實符合指數變化特點。
由於二極體並不只是一個pn結，還包含半導體材料的歐姆電阻（半導體的電阻率肯定要比導體大），因此實際電流曲線就包含了這個串聯電阻的影響，電流越大，這個電阻上的電壓越大，對曲線影響就越大，偏離指數特性就越大，按照歐姆定律，最後電壓電流應該成為線性關係而不是指數關係了。
二極體伏安特性實驗結論怎麼寫
6樓：我知道
不知道你的實驗室怎麼做的，
一般說給二極體加正向電壓<0.7v時，電流隨電壓變化較緩慢，當電壓超過0.7v時，電流隨電壓變化很快。
加反向電壓，不同的二極體有不同的穩壓特性，在達到擊穿電壓之前，幾乎沒有電流通過，當反向電壓加大到擊穿電壓，電流突然增大到很大，且二極體兩端電壓基本不變，這就是二極體的穩壓特性
以上就是伏安特性了
二極體的伏安特性曲線怎樣描述,怎樣分析二極體的伏安特性曲線
上面回答的很全面 簡單點 就是 正向導通 反向截止 因為二極體有整流的作用麼 怎樣分析二極體的伏安特性曲線 二極體的效能可用其伏安特性來描述。在二極體兩端加電壓u,然後測出流過二極體的電流i,電壓與電流之間的關係i f u 即是二極體的伏安特性曲線,如圖所示。二極體伏安特性曲線如圖 二極體的伏安特性...
研究二極體伏安特性曲線時,正確的接線方法是（內接還是外接
二極體伏安特性曲線可以使用電晶體特性圖示儀測出，或搭個電路 內接？外接？不明白什麼意思 研究二極體伏安特性曲線時,正確的接線方法是 內接還是外接？二極體伏安特性曲線可以使用電晶體特性圖示儀測出，或搭個電路 內接？外接？不明白什麼意思 測量二極體伏安特性,分別用電流表外界,內接得到的正向,反向伏安特性...
什麼叫半導二極體的伏安特性曲線半導體二極體伏安特性曲線
半導二極體的伏安特性是指流過半導二極體的電流隨半導二極體兩端電壓的變化特性，半導二極體的伏安特性曲線是指反映該變化特性的曲線 下圖所示的兩條曲線，是較為典型的鍺和矽二極體的伏安特性曲線，曲線可分三部分來說明。1 正向特性 當外加正向電壓較小時，正向電流很小，二極體呈現出較大的電阻 圖中oa段和oa ...