1樓：假的司馬
半導二極體的伏安特性是指流過半導二極體的電流隨半導二極體兩端電壓的變化特性，半導二極體的伏安特性曲線是指反映該變化特性的曲線、
下圖所示的兩條曲線，是較為典型的鍺和矽二極體的伏安特性曲線，曲線可分三部分來說明。
1、正向特性：
當外加正向電壓較小時，正向電流很小，二極體呈現出較大的電阻（圖中oa段和oa』段）；正向電壓超過某一數值（ud稱為其實電壓或死區電壓，矽管為0.6到0.8伏，鍺管委0.
2伏），電流隨著電壓增加得很快（圖中的ab段和a』b』段）。但增加的電流不能超過二極體允許電流，否則二極體會被燒壞。
2、反向特性：加上方向電壓時，只有很小的反向電流，並且它基本上不隨電壓變化，如曲線上cd段和c』d』段，這種電流稱為反向飽和電流。反向飽和電流隨著溫度升高而增長很快。
3、反向擊穿電壓：
當反向電壓超過某一數值的時候，反向電流突然猛增，這種現象稱為反向擊穿，如曲線e和e』以下的部分。對應於e點的電壓稱為擊穿電壓。
2樓：匿名使用者
這是半導體的一個特性，與導體與絕緣體不同，導體（絕緣體）在一定環境下，阻值一定，當兩端電壓升高時，其通過的電流也會增加，並且兩者呈線性關係，但半導體卻在一定條件下電壓升高，電流通過很小，而達到一定程度後，當電壓略有增加，電流增加很多（像拋物線），而反向時，當電壓低於一定值時，基本上沒有電流通過，當電壓達到一定程度時，電流急劇增加（擊穿），相當於導通
半導體二極體伏安特性曲線 5
3樓：原點
半導體二極體的核心是pn結，它的特性就是pn結的特性——單向導電性。用實驗的方法，在二極體的陽極和陰極兩端加上不同極性和不同數值的電壓，同時測量流過二極體的電流值，就可得到二極體的伏一安特性曲線。該曲線是非線性的，如圖1-13所示。
正向特性和反向特性的特點如下。
1．正向特性
當正向電壓很低時，正向電流幾乎為零，p89lpc954fbd這是因為外加電壓的電場還不能克服pn結內部的內電場，內電場阻擋了多數載流子的擴散運動，此時二極體呈現高電阻值，基本上還是處於截止的狀態。如圖1 - 13所示，正向電壓超過二極體開啟電壓uon（又稱為死區電壓）時，電流增長較快，二極體處於導通狀態。開啟電壓與二極體的材料和工作溫度有關，通常矽管的開啟電壓為uon=0.
5v(a點)，鍺管為uon=0.1 v(a'點)。二極體導通後，二極體兩端的導通壓降很低，矽管為0.
6～0.7 v，鍺管為0.2～0.
3 v如圖1-13中b、b'點。
2．反向特性
在分析pn結加上反向電壓時，已知少數載流子的漂移運動形成反向電流。因少數載子數量少，且在一定溫度下數量基本維持不變，因此，廈向電壓在一定範圍內增大時，反向電流極微小且基本保持不變，等於反向飽和電流is。
當反向電壓增大到ubr時，外電場能把原子核外層的電子強制拉出來，使半導體內載流子的數目急劇增加，反向電流突然增大，二極體呈現反向擊穿的現象如圖1-13中d、d'點。二極體被反向擊穿後，就失去了單向導電性。二極體反向擊穿又分為電擊穿和熱擊穿，利用電擊穿可製成穩壓管，而熱擊穿將引起電路故障，使用時一定要注意避免二極體發生反向熱擊穿的現象。
二極體的特性對溫度很敏感。實驗表明，當溫度升高時，二極體的正向特性曲線將向縱軸移動，開啟電壓及導通壓降都有所減小，反向飽和電流將增大，反向擊穿電壓也將減小。
4樓：匿名使用者
一種用圖型曲線法來表示半導體二極體在施加不同電壓時它的電流如何進行相應變化的一種很直觀的表示方法。
5樓：電子測量百事通
用電晶體圖示儀，qt2
二極體的伏安特性曲線
6樓：牛角尖
因為縱座標是對數座標，所以只要直線就是指數變化，圖中可見10a電流以下確實符合指數變化特點。
由於二極體並不只是一個pn結，還包含半導體材料的歐姆電阻（半導體的電阻率肯定要比導體大），因此實際電流曲線就包含了這個串聯電阻的影響，電流越大，這個電阻上的電壓越大，對曲線影響就越大，偏離指數特性就越大，按照歐姆定律，最後電壓電流應該成為線性關係而不是指數關係了。
測半導體二極體正反向伏安特性曲線時,電流表都採用內接法是否可以?為什麼?
7樓：匿名使用者
顯然不可以啊，二極體的內阻正向導通時很小，反向截止時很大。由於電流表自身也有內阻，避免太大的誤差，二極體正向導通時，應該採用外接法，反之則採用內接法。
二極體伏安特性曲線問題（鄙視貼上狂人）
8樓：鈐山鎮
二極體的伏安特性是指流過二極體的電流id與加於二極體兩端的電壓ud之間的關係或曲線。用逐點測量的方法測繪出來或用電晶體圖示儀顯示出來的u～i曲線，稱二極體的伏安特性曲線。下圖 是二極體的伏安特性曲線示意圖，依此為例說明其特性。
一、正向特性
由圖可以看出，當所加的正向電壓為零時，電流為零；當正向電壓較小時，由於外電場遠不足以克服pn結內電場對多數載流子擴散運動所造成的阻力，故正向電流很小（幾乎為零），二極體呈現出較大的電阻。這段曲線稱為死區。
當正向電壓升高到一定值uγ（uth ）以後內電場被顯著減弱，正向電流才有明顯增加。uγ 被稱為門限電壓或閥電壓。uγ視二極體材料和溫度的不同而不同，常溫下，矽管一般為0.
5v左右，鍺管為0.1v左右。在實際應用中，常把正向特性較直部分延長交於橫軸的一點，定為門限電壓uγ的值，如圖中虛線與u軸的交點。
當正向電壓大於uγ以後，正向電流隨正向電壓幾乎線性增長。把正向電流隨正向電壓線性增長時所對應的正向電壓，稱為二極體的導通電壓，用uf來表示。通常，矽管的導通電壓約為0.
6～0.8v （一般取為0.7v），鍺管的導通電壓約為0.
1～0.3v （一般取為0.2v）。
二、反向特性
當二極體兩端外加反向電壓時，pn結內電場進一步增強，使擴散更難進行。這時只有少數載流子在反向電壓作用下的漂移運動形成微弱的反向電流ir。反向電流很小，且幾乎不隨反向電壓的增大而增大（在一定的範圍內），如圖z0111中所示。
但反向電流是溫度的函式，將隨溫度的變化而變化。常溫下，小功率矽管的反向電流在na數量級，鍺管的反向電流在μa數量級。
三、反向擊穿特性
當反向電壓增大到一定數值ubr時，反向電流劇增，這種現象稱為二極體的擊穿，ubr（或用vb表示）稱為擊穿電壓，ubr視不同二極體而定，普通二極體一般在幾十伏以上且矽管較鍺管為高。
擊穿特性的特點是，雖然反向電流劇增，但二極體的端電壓卻變化很小，這一特點成為製作穩壓二極體的依據。
9樓：南風二三
電流公式是j=js[exp(u/ut)-1],ut是熱電壓，就是室溫下等於26mv的那個東西，這個，公示我打的不是很標準，這裡沒有公示編輯器額，你就湊合看下吧。沒有為啥吧，公示就是這樣，曲線圖就是這樣了唄……
其中那個js是我們一個定義的引數，叫它理想反向飽和電流。js=[e*dp*p0/lp + e*dn*n0/ln],如果學過半導體物理的話，就能看出來這個js是和材料有關的。
肖特基二極體比pn結二極體（就是你說的si管）正向壓降（就是有效開啟電壓）小，是因為肖特基二極體的理想反向飽和電流值比pn結二極體的大幾個數量級。
你說的這個補充問題，我沒太理解，肖特基二極體就是指金屬和n型半導體接觸形成的， 因為肖特基二極體的電流主要取決於多數載流子電子的流動，如果你讓金屬和p型半導體接觸，它怎麼可能導電啊……
請通俗的講講二極體的伏安特性
10樓：娛樂大潮咖
1、二極體伏安的正向特性，理想的二極體，正向電流和電壓成指數關係。e68a8462616964757a686964616f31333431363032 但是實際的二極體，加正向電壓的時候，需要克服pn結內電壓，所以電壓要大於內電壓時，才會出現電流。
這個最小電壓稱作開啟電壓。小於開啟電壓的區域，叫做死區。 當電壓大於開啟電壓，那麼電流成指數關係上升。增加很快，所以二極體上的壓降，其實很小，否則由於電流太大，就燒壞了。
2、二極體伏安的反向特性，理想的二極體，不論反向電壓多大，反向都無電流。實際的二極體，反向截止時，也是有電流的，這個電流叫做反向飽和電流。在電壓沒有達到反向擊穿電壓時，二極體的電流一直等於方向飽和電流。
但是當電壓大到一定程度，二極體被反向擊穿，電流急劇增大。 反向擊穿分齊納擊穿和雪崩擊穿兩種。 有的二極體擊穿後撤去反向電壓，還能恢復原狀態，比如穩壓二極體就是工作在反向擊穿區的。
有的反向擊穿就直接燒壞了。
3、二極體的伏安特性存在4個區：死區電壓、正向導通區、反向截止區、反向擊穿區。
（1）死區電壓：通常為，鍺管0.2~0.3v,矽管0.5~0.7v；
（2）正向導通區:當加正向電壓超過死區電壓時則導通,該區為正向導通區；
（3）反向截止區:加一定反向電壓時截止；
（4）反向擊穿區:當加反向電壓大於管子反向承認電壓時,擊穿。
11樓：匿名使用者
1.正向特性bai，理想的二極體
du，正向電流和zhi電壓成指數關係。 但是dao實際的二極內管，加正向電壓的容時候，需要克服pn結內電壓，所以電壓要大於內電壓時，才會出現電流。這個最小電壓稱作開啟電壓。
小於開啟電壓的區域，叫做死區。 當電壓大於開啟電壓，那麼電流成指數關係上升。增加很快，所以二極體上的壓降，其實很小，否則由於電流太大，就燒壞了。
2.反向特性，理想的二極體，不論反向電壓多大，反向都無電流。實際的二極體，反向截止時，也是有電流的，這個電流叫做反向飽和電流。
在電壓沒有達到反向擊穿電壓時，二極體的電流一直等於方向飽和電流。但是當電壓大到一定程度，二極體被反向擊穿，電流急劇增大。 反向擊穿分齊納擊穿和雪崩擊穿兩種。
有的二極體擊穿後撤去反向電壓，還能恢復原狀態，比如穩壓二極體就是工作在反向擊穿區的。 有的反向擊穿就直接燒壞了。
12樓：匿名使用者
正向通電電流與電壓為指數關係
反向通電當電壓小於擊穿電壓時幾乎沒有電流,當電壓大於擊穿電壓時,這個晶體二極體就成導線了,也就報廢了
13樓：匿名使用者
正向導通時，就像汽車加大油門。加越大跑的越快。， 到一定數值就平穩。
14樓：匿名使用者
二極體的伏安特性存在4個區：死區電壓、正向導通區、反向截止區、反向擊穿區。回
死區電壓：通常答為，鍺管0.2~0.3v,矽管0.5~0.7v正向導通區:當加正向電壓超過死區電壓時則導通,該區為正向導通區.
反向截止區:加一定反向電壓時截止.
反向擊穿區:當加反向電壓大於管子反向承認電壓時,擊穿.
二極體伏安特性曲線的研究實驗,物理實驗半導體二極體伏安特性的測定實驗原理簡述
首先要測試二極體的正向v i曲線，記錄下不同電流下對應的壓降值，然後繪製出曲線，在曲線上去兩點，計算等效串聯內阻，r v2 v1 i2 i1 用示波器顯示穩壓二極體的伏安特性曲線實驗的電路圖 如果有圖示儀，就很方便了！用示波器的話，你要有三角波發生器，一個通道通過取樣電阻取二極體電流值，另一通道取二...
二極體的伏安特性曲線怎樣描述,怎樣分析二極體的伏安特性曲線
上面回答的很全面 簡單點 就是 正向導通 反向截止 因為二極體有整流的作用麼 怎樣分析二極體的伏安特性曲線 二極體的效能可用其伏安特性來描述。在二極體兩端加電壓u,然後測出流過二極體的電流i,電壓與電流之間的關係i f u 即是二極體的伏安特性曲線,如圖所示。二極體伏安特性曲線如圖 二極體的伏安特性...
研究二極體伏安特性曲線時,正確的接線方法是（內接還是外接
二極體伏安特性曲線可以使用電晶體特性圖示儀測出，或搭個電路 內接？外接？不明白什麼意思 研究二極體伏安特性曲線時,正確的接線方法是 內接還是外接？二極體伏安特性曲線可以使用電晶體特性圖示儀測出，或搭個電路 內接？外接？不明白什麼意思 測量二極體伏安特性,分別用電流表外界,內接得到的正向,反向伏安特性...