半導體物理中Nv和Nc分別代表什麼

2021-03-19 18:34:08 字數 1553 閱讀 4437

1樓:匿名使用者

nv和nc分別代表空穴和電子的有效能級密度。

2樓:西安理工之虎

nc為導帶的有效狀態密度,nv為價帶的有效狀態密度

半導體物理

3樓:匿名使用者

對於非簡併的n型半導體,如果把導帶中的所有可能被電子佔據的能級都歸併到導帶底(ec)這一條能量水平線上(設歸併到一起的能級的密度為nc),那麼電子佔據各條能級的機率就都將一樣(等於exp[-(ec-ef)/(kt)]),於是就可直接寫出導帶電子的濃度與fermi能級的關係為no=nc exp[-(ec-ef)/kt].

當然,這時歸併到導帶底的有可能被佔據的能級的密度(nc)必然不等於整個導帶的能級密度,則稱nc為導帶的有效能級密度(或者有效狀態密度)。因為溫度越高,電子的能量就越大,則在導帶中有可能佔據的能級數目就越多,故有效能級密度與溫度t有關;仔細的分析可給出為nc=2(2πm*kt/h2)3/2,式中的h是planck常數,m*是電子的所謂狀態密度有效質量,t是絕對溫度。

在室溫下,對於si,nc=2.8×1019cm–3;對於gaas,nc=4.7×1017cm–3。

可見,nc比晶體的原子密度(5×1022 cm–3)要小得多。這就表明,在非簡併情況下,載流子只是佔據導帶中的很少一部分能級(這時電子基本上就處在導帶底附近)。

4樓:潔之殤殤

這個題不會考了 呵呵

華南理工半導體物理60考研試卷答案 20

5樓:風一般的愛情

霍爾效應

研究不盡的霍爾效應

美國物理學家霍爾(hall,edwin herbert,1855-1938)於2023年在實驗中發現,當電流垂直於外磁場通過導體時,在導體的垂直於磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差,這一現象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。

霍爾效應此後在測量、自動化、計算機和資訊科技等領域得到了廣泛的應用,比如測量磁場的高斯計。

在霍爾效應發現約100年後,德國物理學家克利青(klaus von klitzing, 1943-)等在研究極低溫度和強磁場中的半導體時發現了量子霍耳效應,這是當代凝聚態物理學令人驚異的進展之一,克利青為此獲得了2023年的諾貝爾物理學獎。

之後,美籍華裔物理學家崔琦(daniel chee tsui,1939- )和美國物理學家勞克林(robert b.laughlin,1950-)、施特默(horst l.st rmer,1949-)在更強磁場下研究量子霍爾效應時發現了分數量子霍爾效應,這個發現使人們對量子現象的認識更進一步,他們為此獲得了2023年的諾貝爾物理學獎。

最近,復旦校友、斯坦福教授張首晟與母校合作開展了「量子自旋霍爾效應」的研究。「量子自旋霍爾效應」最先由張首晟教授預言,之後被實驗證實。這一成果是美國《科學》雜誌評出的2023年十大科學進展之一。

如果這一效應在室溫下工作,它可能導致新的低功率的「自旋電子學」計算裝置的產生。

目前工業上應用的高精度的電壓和電流型感測器有很多就是根據霍爾效應制成的,誤差精度能達到0.1%以下

我懂得只有這麼多,那是高中的

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