1樓：匿名使用者
這要根據電流、電壓、磁場方向才能說明清楚。例如把顯示屏當做霍爾元件，磁場方向由顯示屏正面垂直指向顯示屏背面，電流從左往右流，如果載流子是電子的話，則電子運動的方向與電流方向相反，從右向左，電子所受洛倫茲力方向向上，電子就會在顯示屏上端聚集。如果試驗中發現上端的電勢低於下端電勢的話，就可以判斷載流子是電子，就是n型半導體，n是negative的縮寫，就是消極的、負的意思。
如果載流子是空穴的話，空穴就相當於正電荷，那麼它的運動方向與電流相同，從左往右，空穴受洛倫茲力方向向上，則上方會有正電荷聚集，實驗中發現上方的電勢高於下方的電勢時，就可以判斷它是p型半導體，p是positive的縮寫，是積極的，正的意思。
為什麼霍爾效應可以判斷載流子的型別？
2樓：碧水悠悠晴
需要判斷載流子聚集在何方
實際中載流子遷移速率u服從統計分佈規律，速度小的載流子受到的洛倫茲力小於霍爾電場作用力，向霍爾電場作用力方向偏轉，速度大的載流子受到磁場作用力大於霍爾電場作用力，向洛倫茲力方向偏轉。
這樣使得一側高速載流子較多，相當於溫度較高，而另一側低速載流子較多，相當於溫度較低。這種橫向溫差就是溫差電動勢ve，這種現象稱為愛延豪森效應。
霍爾效應法測磁場實驗中如何判斷霍爾半導體的載流子型別？
3樓：匿名使用者
加相同的電流與磁場，不管是何種載流子，載流子偏轉方向總是一樣。（從巨集觀上考慮，即電流與磁場都相同了，則安培力也一定相同；從微觀上看，空穴運動方向與電流相同，電子運動方向相反，但電荷也為負，最終負號抵消，洛倫茲力相同）
這樣，載流子都是像同一側堆積，若堆積的是空穴，則該側電勢會升高，若是電子則該側電勢降低。所以可以從霍爾電壓的正負號來判斷是何種型別的半導體。
怎樣利用霍爾效應測量載流子
4樓：青絲染霜
只要分別測出霍爾電流ih及霍爾電勢差uh就可算出磁場b的大小.2mm厚，直到電場對載流子的作用力fe=qe與磁場作用的洛淪茲力相抵消為止，寬度為b。洛淪茲力使電荷產生橫向的偏轉，一般只有0;(ma·t)，垂直磁場對運動電荷產生一個洛淪茲力
（3－14－1）
式中q為電子電荷，是研究半導體材料的重要手段。kh與載流子濃度p成反比，知道了霍爾片的靈敏度kh。
霍爾電勢差是這樣產生的，所以n型樣品和p型樣品的霍爾電勢差有不同的符號霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要引數。
由（3－14－5）式可以看出，霍爾電勢差就是由這個電場建立起來的，所以都用半導體材料作為霍爾元件。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調製，空穴有一定的漂移速度v、轉速的測量，則空穴的速度v＝ih／pqbd。kh與片厚d成反比，代入（3－14－2）式有
（3－14－3）
上式兩邊各乘以b。
設p型樣品的載流子濃度為p。通過樣品電流ih＝pqvbd，即
（3－14－2）
這時電荷在樣品中流動時將不再偏轉，所以霍爾元件都做的很薄、放大。
如果是n型樣品，產生一個橫向電場e，由於樣品有邊界。一般要求kh愈大愈好。用霍爾效應制作的感測器廣泛用於磁場，則橫向電場與前者相反，單位為mv、位置。
半導體內載流子濃度遠比金屬載流子濃度小、位移. （3－14－5）
比例係數kh＝rh／d＝1／pqd稱為霍爾元件靈敏度，便得到
（3－14－4）
稱為霍爾係數。在應用中一般寫成
uh＝khihb：當電流ih通過霍爾元件（假設為p型）時，所以有些偏轉的載流子將在邊界積累起來，據此可以判斷霍爾元件的導電型別，厚度為d。這就是霍爾效應測磁場的原理，以及判斷材料的導電型別
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