怎麼理解霍爾元件靈敏度2 5mV G？測量範圍正負1000G

1樓：匿名使用者

當磁通量為0時，輸出2.5v，測量範圍正負1000高斯，你選型按照這些引數設計。

霍爾元件靈敏度是多少

2樓：白羊她的貓

一般霍爾元bai件靈敏度是

du0.1~0.5mv/(ma.g)之間。

早在2023年人們zhi就在金屬中發現

dao了霍爾效應，2023年就有版人用鉍製成了霍爾元件，用以權測量磁場。但由於這種效應在金屬中十分微弱，當時並沒有引起什麼重視。

2023年後，由於半導體技術的迅速發展，人們找到了霍爾效應較為顯著的半導體材料——鍺（ge），接著，在2023年前後，人們又對化合物半導體——銻化銦（insb）、砷化銦（inas）進行了大量的研究，並製成了較為滿意的元件。

這時霍爾效應以及它所具有的廣泛的應用才受到了人們普遍的重視。

3樓：anyway中國

從原來理看：

vh=khib

kh稱為靈敏

自度。單位為mv/(ma.g)

實際的bai

霍爾元件，通常分為開du

關型或線性型兩zhi

種，開關型一般不標dao稱靈敏度。線性型通常電流i由內部電路決定。因此，靈敏度的定義發生了變化。

vh=khb。單位變為mv/g

一般在1~5mv/g，假設供電電流為10ma，也可轉變為：

kh=0.1~0.5mv/(ma.g)

如何測定霍爾靈敏度？它和哪些因素有關？為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法？

4樓：假面

霍爾636f707962616964757a686964616f31333431346339元件（由銻化銦製成）的靈敏度比較好測量，相同的電壓和磁場條件下，輸出電壓高的則靈敏度高.

霍爾積體電路（ic)的靈敏度的測量要分兩種：

（1) 對於開關型，測量可以使hall ic開啟（一般輸出由高變低）的磁場強度，使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。

（2）對於線性hall，則需要給晶片一個磁場變數（比如磁場變化100gs）看輸出電壓變化值的大小，電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度，在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

5樓：

霍爾的bai靈敏度指單位電壓或者du單位電流在單位磁場下zhi（比如dao1t或者1mt）產生的回霍爾電壓，這個霍爾電壓一般答很小（最多mv級別）。霍爾靈敏度主要與製成霍爾元件（或者晶片）的材料有關，一般來講，材料的遷移率越高，則靈敏度越高。另外，霍爾靈敏度也與所加的電壓或者電流偏置有關。

霍爾元件（一般由銻化銦製成）的靈敏度比較好測量，相同的電壓和磁場條件下，輸出電壓高的則靈敏度高。

霍爾積體電路（ic)的靈敏度的測量要分兩種：（1) 對於開關型，測量可以使hall ic開啟（一般輸出由高變低）的磁場強度，使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。（2）對於線性hall，則需要給晶片一個磁場變數（比如磁場變化100gs）看輸出電壓變化值的大小，電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度，在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。