1樓：匿名使用者
錯了，金屬導體的電阻是隨溫度的升高而增大的，並不是減小。因為溫度升高，使導體內分子的熱運動增大，對自由電子的流動產生的阻力增大，導電性下降。
2樓：匿名使用者
金屬的溫度升高，電子的活動加劇；電子越容易移動，電阻自然就越低；
各種材料的電阻率都與溫度有關這句話對嗎
3樓：沙金季語絲
1、金屬導體隨溫度升高，電阻率增大，電阻增大。
2、半導體材料，隨溫度升高，電阻率減小，電阻減小。
金屬的電阻率隨溫度升高而增大,半導體的電阻率為什麼隨溫度升高而減小？
4樓：匿名使用者
半導體是靠載流子(空穴或電子)導電的，溫度升高，載流子增多，導電性增強；金屬晶體裡邊，溫度升高原子核振動加劇，碰撞電子使之減速的概率增加，電阻率上升
物質材料的電阻率的往往隨溫度的變化而變化，一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大，而半導體材料的電
5樓：琳大小姐
①：由於待測電阻的阻值較小遠小於電壓表內阻，所以電流表應用外接法；從資料表可知，電流從零調，所以變阻器應採用分壓式接法，故電路圖應是b；
②：從表中資料可知，溫度越高（電流越大）時，求出的電阻越小，可判斷元件是半導體材料；
③：在不斷開電路情況下，檢查電路故障時不能使用電流擋和歐姆擋，從表中資料可知最高電壓是1.5v，所以應該使用直流電壓2.5v擋；
由於黑表筆接在電壓表的正極，所以將多用表的紅、黑表筆與電流表「+」、「-」接線柱接觸時，多用電錶指標發生較大偏轉，說明電路故障是電流表斷路；
故答案為：①b；②半導體；③直流電壓2.5v，電流表斷路
下列關於電阻率的說法中，正確的是（ ）a．各種材料的電阻率都隨溫度的升高而增大b．用來製作標準電阻
6樓：三炮
a、金屬的電阻率隨
復溫度升高而增大，制半導體的電阻率隨溫度升高而減小．故a錯誤，c正確．
b、用來製作標準電阻的錳銅和康銅的電阻率，溫度變化時，電阻率變化很小．故b錯誤．
d、半導體的電阻率隨溫度的升高而減小，但是不是線性減小．故d錯誤．故選c．
金屬材料的電阻率通常隨溫度的升高而增大，半導體材料的電阻率隨溫度的升高而減少．某同學需要研究某導電
7樓：窩窩惡少
（1）電壓從零開始變化，滑動變阻器應採用分壓接法；待測電阻版阻值很小，電壓表
權內阻遠大於待測電阻阻值，電流表應採用外接法，由圖1所示電路圖可知，實驗應採用a所示電路．
（2）由表中實驗資料可知，隨元件電壓增大，通過元件的電流增大，元件的實際功率增大，元件溫度升高；由歐姆定律可知，隨元件兩端電壓增大，元件電阻減小，因此元件是半導體材料．
（3）由圖2所示螺旋測微器可知，固定刻度示數為1.5mm，可動刻度示數為49.0×0.
01mm=0.490mm，元件的直徑為1.5mm+0.
490mm=1.990mm（1.989～1.
991均正確）．
（4）由圖3可知，元件z與電阻r串聯，電流表測電路電流，由表中實驗資料可知，電流為1.25a時，元件兩端電壓為1.00v，電流為0.
80a時，元件兩端電壓為0.80v，由閉合電路歐姆定律可得：e=i（r+r）+uz ，
e=1.25×（2+r）1.00，e=1.25×3.6+r）+0.80，解得，電源電動勢e=4.0v，內阻r=0.4ω．
故答案為：（1）a；（2）半導體材料；（3）1.990；（4）4.0；0.4．
哪些導體的電阻時隨溫度的升高而減小？
8樓：匿名使用者
半導體材料的電阻率是copy隨溫度的升高而降低的，另外 ，常見的還有碳，碳的電阻率也是隨溫度升高而降低。所以有很多書上，將「碳」也算作半導體。這也是有道理的：
1、常用的半導體材料在化學元素週期表上就是「第四列」--碳、矽、鍺等；2、仔細檢視導體與絕緣體的電阻率的劃分表，可以看到，「碳」確在中間半導體區；3、碳的電阻--溫度特性與矽、鍺是完全一致的。4、純淨的單晶體碳---金剛石，就是很好的半導體材料，只是由於**昂貴，沒有人使用罷了。
9樓：匿名使用者
ntc負溫度源係數熱敏電阻構成 ntc（negative temperature coeff1cient）是指隨溫度上升電阻呈指數關係減小、具有負溫度係數的熱敏電阻現象和材料．該材料是利用錳、銅、矽、鈷、鐵、鎳、鋅等兩種或兩種以上的金屬氧化物進行充分混合、成型、燒結等工藝而成的半導體陶瓷，可製成具有負溫度係數（ntc）的熱敏電阻．其電阻率和材料常數隨材料成分比例、燒結氣氛、燒結溫度和結構狀態不同而變化．現在還出現了以碳化矽、硒化錫、氮化鉭等為代表的非氧化物系ntc熱敏電阻材料． ntc熱敏半導瓷大多是尖晶石結構或其他結構的氧化物陶瓷，具有負的溫度係數
10樓：匿名使用者
比如玻璃..棒..溫度一高就成導體了..分...
為何純金屬的電阻率會隨溫度升高而增大？而半導體的電阻率卻隨溫度升高而降低？
11樓：匿名使用者
而半導體是靠少數殘載流子導電，少數載流子本身就是靠熱激發才產生的，溫度越高載流子越多，因此電阻變小
12樓：匿名使用者
這個很複雜
視乎要用量子力學才解釋得清楚
13樓：一弘秋水
溫度升高，金屬內部電子能量增加，其熱運動速度加快，增加了電子碰撞的機會，而金屬是靠電子導電，故其定向移動速度就會減慢，所以其電阻就會增大?¤
影響物質材料電阻率的因素很多，一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大，半導體材料的電阻率則隨溫度的
14樓：小顏
（1）①抄由題意可知，金屬材料的電阻襲
率隨溫度的升高而增大，
故導體阻值變大，由閉合電路歐姆定律可知，溫度升高，電阻增大，則電流減小，故電流較大處對應的溫度刻度較小；
②由圖可知，最大處電流為5ma；則由閉合電路歐姆定律可知，此時電阻r=u i
-150ω=1.5v
5ma-150=150ω；由r-t圖象，根據數學得到r=t+100（ω），當r=150ω，t=50°c．
（2）由題意得：pq =0.1（t-t0 ）=u2
r，可得出1 r
故答案為：（1）①較小；②50；（2）700 c（680 c～720 c）
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