1樓：惠巧風
載流子的漂移運動是指沿著外加電場的方向、疊加在熱運動之上的一種附加運動，該附加運動的速度分量平均值就是漂移速度。一般，載流子的漂移速度總是小於其熱運動速度，最大也只能接近於熱運動速度。
基本資訊。中文名 載流子漂鉛戚移速度。
外文名 drift velocity
定義 附加運動的速度分量平均值。
最大 也只能接近於熱運動速度。
簡介。載流子漂移速度（drift velocity）：
一般，載流子的漂移速度總是小於其熱運動速度，最大也只能接近於熱運動速度（10e7cm/s）。因為在電場 e的作用下，動量弛豫時間為τ的載流子的加速度為 a = q e / m*，行走距離為s = aτ2 / 2 = q eτ2 / 2 m*，則平均漂移速度等於vd = s /τq eτ/ 2 m*。
重要引數。表徵漂移運動的重要參量是 遷移率μ，定義為μ= vd / e| ，從而有μ= qτ/ m* [cm/v-s] 。只有在低電場、歐姆定律成立的情況下，漂移速度正比於電場強度，遷移率才為常數（這時電子在主能谷中漂移）。
實際上，在強電場時，電子將成為具有高能量的 熱電子——動能高於平均熱運動能量kt的電子，致使載流子的漂移念明速度與電場的關係比較複雜。對n型gaas等 雙能谷半導體，熱電子將由有效質量較小的主能谷往有效質量較大的次能谷躍遷，則出現 負電阻；在更強電場時，次能谷中高能量熱電子還將與光學波聲子散射而損失能量，致使漂移速度飽和（漂移速度vd 趨於熱運動速度）。對於n-si，因為導帶不存在雙能谷，所以熱電子僅在主能谷中通過與光學波聲子散射而損失能量，使漂移速度達到飽和（vs），則不出現負電阻。
對各種半導體中的空穴，因為價帶都不存在次能仔激告谷，故空穴漂移速度與電場的關係曲線都不會出現負電阻段。
2樓：網友
因為流子漂移速度與電場強拆虧度之間關係密切，所以研究者可以**一些資料來研究這種關係滑隱。例如，可以**專業文獻，如電子學領域的書籍，也可以**由科學家和工程師開發的計算機模型，用於模擬流子漂移速度與電場強度之間的關係。此外，研究者還可以搜尋一些經驗資料，以瞭解這種關係信御廳在不同情況下的表現。
漂移電流是什麼電流他由什麼載流子形成其大小與什麼有關
3樓：小溪
在半導體pn結的空間電荷區上形成了乙個有n指向p區的內電場，在該內電場的作用下，電子由p去被送回n區，形成了和擴散電流相反的電子運動，該運動形成的電流就稱為漂移電流。
漂移電流的大小和內電場大小有關，內電場越大、漂移電流越大。
4樓：雨後落葉
漂移電流是在pn結中，由於p區空穴較多，n'區電子較多，所以電子由n區擴散到p區。p區空穴可以由p區擴散到n區。這樣就會形成乙個空間電荷區，空間電荷區中p空穴漂移到n區留下帶負電的原子核，同理n區有帶正電的原子核。
1．採用載流子擴散與漂移的觀點分析結空間電荷區的形成．
5樓：考試資料網
答案】：當薯源昌把n型和p型材料放在一起時，由於在p型材料中有多得多的空穴，它們將向n型一邊擴散．與此同時，在n型一邊的電子將沿著相反的方向擴散，即由n型區向p型區擴散．由電子和空穴擴散留下的失去載流子補償的施主和受主離子建立了乙個電場．這一電場是沿著抵消載流子擴散趨勢的方向．熱平衡時，載流子的漂移運動正好和載流子的擴散運動相平衡．於是，電子和空穴的擴散與漂移在n型和p型數扒各邊分別留下未被補償的施主離子和受主離子，建立了兩個電荷區即空間裂渣電荷區．
載流子的漂移速度為什麼和外加電場大小成正比
6樓：匿名使用者
載流子的漂移速度為什麼和外帶慶加電場大小成正比。
當有電場羨仿存在時，使所有載流子沿電場力方向作定向運動。這種載流子在熱蠢派握運動的同時，由於電場作用而產生的沿電場力方向的定向運動稱作漂移運動。所構成的電流為漂移電流。
定向運動的平均速度叫做漂移速度。在弱電場下，載流子的漂移速度v與電場強度e成正比。
漂移電流是什麼電流他由什麼載流子形成其大小與什麼有關
7樓：潮蕭殳野
漂移電流是在pn結中，由於p區空穴較多，n'區電子較多，所以電子由n區擴散到p區。p區空穴吵渣可以由p區擴散到n區。這樣就會形成乙個空間電荷區，空間電荷區中p空穴漂移到n區留下帶負電的原子核。
同理n區有帶正電的原子核。兩者會形成乙個自建鬥碰伍電場，在這個自建電場下，空穴電子又會向相反方向做漂移運動。這個漂移運動產生的電流叫漂移電流。是由這兩種空或載流子。
形成的。大小與摻雜濃度，外加電勢大小和方向，以及溫度有關係。
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