現缺陷和點缺陷對材料效能有什麼影響?

2023-01-03 08:25:12 字數 5747 閱讀 1444

1樓:捲毛

材料具有多種效能,大致分為兩類:

一是使用效能,包括力學效能、物理效能和化學效能等;

二是工藝效能,例如鑄造性、可鍛性、可焊性、切削加工性以及熱處理性等等。

在我們生產中經常用到的材料, 其效能常常因為微觀上小小的差異而變得迥然不同,我們就理想型的完美晶體進行材料缺陷對材料效能的影響的研究與探索。

在理想完整晶體中,原子按一定的次序嚴格地處在空間有規則的、週期性的格點上。

2樓:半截裙兒

現缺陷和點缺陷對材料效能這個有很大的影響,尤其是點缺陷,或者是學籍解決這兩者會影響它的力學效能的。

3樓:樸孝敏水瓶

這個對材料效能影響還是比較大的,因為有一些缺陷可能會導致區域性應力集中。

4樓:網友

缺陷和點缺陷對材料效能的影響都是非常大的,不管你現在有缺陷還是有點缺陷,對材料都有影響。

5樓:黃敏強

現缺陷和點缺陷對材料效能有什麼影響?線缺陷和點缺陷對材料效能的影響應該是比較大的,他們主要的缺陷問題。

6樓:七先生是遊戲鬼才

如果稍微缺點材料的話,你可以從其他角度慢慢地去改變,他現在有的狀態。

7樓:娛樂影視君

對材料現場的影響就是說這個可能是會導致它裡面的機械效能會下降。

8樓:為啥嘞學長

這其實根本就沒有什麼太大影響,因為這個缺陷的話可能對材料的效能有一定的差別,所以說製造出來的材料也會有一定的區別。

9樓:帳號已登出

像這個線缺點,那麼也就是切點比較多,切線比較大,可能是成塊成塊的缺點,有點缺陷的,可能就是部分的缺陷,可能都隱藏的這個材料來看了,兩個缺陷都比較差。

10樓:帳號已登出

哦,你肯定任何事物都是有雙面性的,會有一些缺點,具體是要發現優點。

11樓:白色晚禮服

現缺席線缺陷和點缺陷,他的綠材料效能還是有很大的影響的,並且他的印象還是能夠更好的幫助到我們的家。

12樓:九冥界火麒麟九

v現在缺點是不一樣的,對材料的要求也是非常高的,如果達不到標準會被淘汰。

13樓:吉悠逸

縣區縣和缺點一線,對材料效能有什麼能影響呢?那麼一定是有影響的,他們是啊,不同的特點。

14樓:酷酷的酷酷

一般來說,他的影響還是有的,因為會存在影響的話,會對他的使用過程中造成一些相應的影響。

15樓:朱茜雲

首先就是效能沒有的好,其次產品價值也有所貶值。

16樓:天天潛水

現在的一些缺陷對於材料的效能來說也是有一定的影響,所以說現在還有很多的技術方面都要找專業人員解決。

17樓:匿名使用者

先去見喝點缺陷材料就有什麼影響個人覺得應該是性比較高的意思。

18樓:晉普飛鷹

也對,材料有陰險的優異材料,現在必須每個產品必須合格的,如果他有取向的話,那就是不合格的。

19樓:帳號已登出

間接性我覺得來的還是有影響的,所以要注意一下這個問題才行,不然的話就不行了。

20樓:請猶

你覺得實話,我現在的**我都不是在一個人家的資料,我們如果沒有影響到現在的材料的話,可能對其他的東西也是有負數沒有變的。

21樓:妖刀李李

缺陷的一個材料,新的有什麼樣的影響?肯定被影響,這個無極環境汙染。這個閒。

22樓:墨夷南露

你應該還是不大,但是影響還是有的嘛,所以說還是不容易的。

23樓:網友

操作完成徒弟放養物質叫做那就相近雷同的方式餃子香。

24樓:朋國

線缺陷和點缺陷對材料效能有什麼影響?這個材料效能是沒有什麼影響的,只是對處理缺陷時材料的用法不同而已。

25樓:匿名使用者

線缺陷和點缺陷對材料效能有什麼影響?如果是高科技材料入缺了這些影響會很大的缺陷,能把材質在用工過程中造成很大的傷害,損傷承受力和材質變形。

26樓:許**

線和點缺陷對材料效能有一些比較大的影響,線圈線的影響大一些。

27樓:斐吉敏

線缺陷和點缺陷對材料效能的區別的話,要對他的一個穩定性來進行影響的。

28樓:施虹雨

如果說缺陷和點缺陷對材料效能是有一定影響的,所以他性質不同。

29樓:浩星樂音

線缺陷和點缺陷對材料的效能是有很大的影響的。

30樓:仵靖琪

線缺陷和點缺陷對材料效能有什麼影響,這個肯定是對它質量方面包括環境方面也是有相關影響。

簡述晶體缺陷對材料力學效能的影響

31樓:徐天來

晶體中存在的缺陷種類很多,根據幾何形狀和涉及的範圍常可分為點缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要型別。

點缺陷:是指三維尺寸都很小,不超過幾個原子直徑的缺陷。主要有空位和間隙原子。

空位是指未被原子所佔有的晶格結點。間隙原子是處在晶格間隙中的多餘原子。點缺陷的出現,使周圍的原子發生靠攏或撐開,造成晶格畸變。

使材料的強度、硬度和電阻率增加。所以金屬中,點缺陷越多,它的強度、硬度越高。

線缺陷:是指三維空間中在二維方向上尺寸較小,在另一維方面上尺寸較大的缺陷。屬於這類缺陷主要是位錯。什麼是位錯呢?

位錯是晶體中的某處有一列或若干列原子發生了某種有規律的錯排現象。

面缺陷:是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亞晶界。

缺陷對物理效能的影響很大,可以極大的影響材料的導熱,電阻,光學,和機械效能,極大地影響材料的各種效能指標,比如強度,塑性等。

化學效能影響主要集中在材料表面效能上,比如雜質原子的缺陷會在大氣環境下形成原電池模型,極大地加速材料的腐蝕,另外表面能量也會受到缺陷的極大影響,表面化學活性,化學能等等。

總之影響非常大,但是如果合理的利用缺陷,可以提高材料某一方面的效能,比如人工在半導體材料中進行摻雜,形成空穴,可以極大地提高半導體材料的效能。

點缺陷有哪些主要型別?它對材料的力學效能有什麼影響

32樓:尐鈴鐺

點缺陷孩供粉佳莠簧瘋偽弗鐮、線缺陷、面缺陷三種缺陷。 其中點缺陷包括空位、間隙原子、置換原子。 線缺陷包括刃型位錯、螺型位錯。

面缺陷包括晶體的表面、晶界、亞晶界、相界。 他們對力學效能地 影響:使得金屬塑性、硬度以及抗拉壓力顯著降低等等。

33樓:墨夷山雁

對電阻率的影響:金屬的電阻來自於離子對電子的散射。在完整晶體中,電子基本上是在均勻電場中運動,而在有點缺陷的晶體中,缺陷區晶格的週期性被破壞,電場變化迅速,電子被強烈散射,晶體的電阻率增大。

缺陷對材料電學效能有哪些影響?

34樓:匿名使用者

理論上講,沒有缺陷的離子晶體是絕緣體,經典離子晶體具有不高的導電率**於由晶格中的雜質或熱啟用引起的晶格結點缺陷的遷移。而電解質陶瓷具有如此之高的電導率,絕非藉助於少量點缺陷的遷移所能達到的。因而,可以合理的利用缺陷,可以提高材料的某一方面的效能,比如人工在半導體材料中摻雜,形成空穴,可以極大的提高半導體材料的效能。

同時,研究結果表明,和普通的金屬導體不同(金屬導體是靠電子遷移而導電的),快離子導體——即固體電解質陶瓷在傳輸電荷的同時還伴隨有離子的遷移,這使它們具有了不同於電子導體的特殊用途。

35樓:匿名使用者

導體,導電性變差,電阻升高,發熱變大,能量損失變大;絕緣體,絕緣性變差,可能是裝置達不到絕緣要求;還有力學效能變差,在相同電動力情況下,裝置更易損壞。

晶體缺陷對晶體的力學效能有何影響

36樓:火影與忍狗

晶體缺陷對晶體的力學效能既有有利的方面,也有不利的方面。

通常工業上應用的多晶體材料通過增加缺陷數目都可以提高材料的機械效能。比如加入合金元素形成固溶體可以產生固溶強化,提高強度,這主要是增加了點缺陷造成的;金屬經過冷加工變形也可以提高強度,這是通過增加線缺陷--位錯數目來實現的;金屬通過細化晶粒提高強度的原因:增加了面缺陷:

晶界的數目。

位錯等缺陷的存在,會使材料易於斷裂,比近於沒有晶格缺陷的晶體的抗拉強度,降低至幾十分之一。

晶體缺陷對材料效能的影響有哪些

晶體織構對材料效能有什麼影響

37樓:匿名使用者

【晶體缺陷對材料效能的影響】晶體缺陷的存在對材料的性質會產生明顯的影響。實際晶體或多或少都有缺陷。適量的某些點缺陷的存在可以大大增強半導體材料的導電性和發光材料的發光性,起到有益的作用;而位錯等缺陷的存在,會使材料易於斷裂,比近於沒有晶格缺陷的晶體的抗拉強度,降低至幾十分之一。

【晶體缺陷】在理想完整的晶體中,原子按一定的次序嚴格地處在空間有規則的、週期性的格點上。但在實際的晶體中,由於晶體形成條件、原子的熱運動及其它條件的影響,原子的排列不可能那樣完整和規則,往往存在偏離了理想晶體結構的區域。這些與完整週期性點陣結構的偏離就是晶體中的缺陷,它破壞了晶體的對稱性。

分為:點缺陷、線缺陷(位錯)、面缺陷、體缺陷四種。

論述面缺陷的分類及對材料力學效能的影響? 10

38樓:即可那時的

面缺陷的種類繁多,金屬晶體中的面缺陷主要有兩種:晶界和亞晶界[1]。結構複雜,對於晶體的物理效能有著廣泛的影響。

晶體中相鄰疇區間的交接往往不是任意的,通常只有那些點陣匹配度較好,具有特定形態及結構,因而介面能較低的面缺陷能夠存在。人們通常按介面兩側晶體結構之間的關係將其分為平移介面、孿晶介面及晶粒間界三大類別。

平移介面。介面兩側晶體以一特徵的非點陣平移相聯絡者稱平移介面,包括堆垛層錯、反相疇界和結晶切變面等面缺陷。堆垛層錯常見於密堆積結構及層狀結構的晶體中(圖1),是晶體的密排面按正常順序堆垛時引入反常順序堆垛所形成的一種面缺陷。例如,面心立方晶體以 六方密排面按密堆積方式堆垛而成,正常堆垛順序是……abcabc……(a、b、c分別標記原子位置為a、b、c的原子層)。

若引入反常順序堆垛,則成……abc↑bc……或……abc↑babc……,前者相當於抽走a層,後者相當於插入b層,分別稱作抽出型層錯和插入型層錯。層錯的引入使其兩側的晶體相對位移了 ,但晶體仍保持為密堆積結構,因而具有較低的介面能量。反相疇界是有序固溶體合金中有序疇間的介面,與有序超結構的非點陣平移相關,使介面兩側近鄰原子對的性質與正常有序態不同,但無明顯點陣畸變。

如果這種非點陣平移發生於非化學配比的化合物晶體中,則稱結晶切變面。這兩種面缺陷都造成局域的組分變化,因而是晶體容納對化學配比偏離的有效方式。

孿晶介面。第二類面缺陷稱為孿晶介面(見孿晶),它所分隔開的兩部分晶體間以特定的取向關係相交接(圖2), 從而構成新的附加對稱元素,如反映面、旋轉軸或對稱中心。在鐵電晶體中,這種附加對稱關係造成了兩部分晶體極化方向的差異,其介面稱為鐵電疇界。

晶粒間界。第三類面缺陷為晶粒間界,它們是以任意取向關係相交接的兩晶粒間的介面。

就目前我所掌握的資料來看,面缺陷對材料力學效能的影響要考慮很多方面,如面缺陷的力學位置,面缺陷的深度、面積,以及受力大小,如果不是在重要位置或面缺陷很大的話,影響不是很大。

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